ネツレン、SiC金属酸化膜半導体電解効果トランジスタを使用した高周波誘導加熱電源

　ネツレン（ http://www.k-neturen.co.jp/ ）は、炭化ケイ素（SiC）金属酸化膜半導体電解効果トランジスタ（MOSFET）を使用した高周波誘導加熱電源を開発した。

　現在、同社の電源の半導体には、主にケイ素（Si）を使用したMOSFETが使用されているが、電力の損失が少なく優れた高温特性により次世代パワー半導体として期待されているSiC－MOSFET を使用し、加えて同社独自の高速スイッチング技術を融合させ、周波数200kHz、容量160kWの新電源を開発した。

　新電源は、従来のSi－MOSFET使用電源に比べて、従来比で容積40%減と大幅な小型化、重量で50%減と軽量化、さらに高変換効率化、省電力化、機器冷却水削減等の省エネルギ－化を実現した。

　現在、同社ではさらなる大容量の電源開発を進めており、高品質・高効率・低コストを目指す次世代電源の商品ラインナップの拡充を目指している。