日立化成、CMPスラリーの開発技術に関する基本特許取得

　日立化成（ http://www.hitachi-chem.co.jp/ ）は、半導体回路平坦化用研磨材料（CMPスラリー）の一種である、高純度の酸化セリウム粒子系CMPスラリーについて、基本となる特許第5882659号を取得した。

　CMP（Chemical Mechanical Planarization：化学的機械研磨）とは、半導体デバイスの製造工程で発生する半導体ウエハー表面の凹凸を研磨して平坦化する技術であり、CMPスラリーはこの用途に使用される研磨材料。

　同社は、CMPスラリーの製品ラインアップのうち、酸化セリウム粒子系CMPスラリーについて、研磨による半導体ウエハーへの傷（研磨傷）を抑制することが可能な高純度化技術を開発し、研磨傷の原因となるケイ素系不純物を1ppm（100万分の1）以下に低減し、研磨傷も同社従来品比較で70%低減した。その技術を用いた高純度の酸化セリウム粒子系CMPスラリーについて2003年に特許出願し、このたび特許第5882659号を取得した。

　研磨傷の抑制は半導体デバイスの製造工程において重要な技術的課題の一つであり、本特許の取得は、日立化成の酸化セリウム粒子系CMPスラリーの技術的優位性を維持する一助になるという。